řada: RE1C002UN MOSFET RE1C002UNTCL N-kanálový 200 mA 20 V ROHM, SOT-416, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-6784
- Výrobní číslo:
- RE1C002UNTCL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 150 kusech)*
217,65 Kč
(bez DPH)
263,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 600 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
- Plus 1 650 jednotka(y) budou odesílané od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 150 - 600 | 1,451 Kč | 217,65 Kč |
| 750 - 1350 | 1,377 Kč | 206,55 Kč |
| 1500 - 3600 | 1,294 Kč | 194,10 Kč |
| 3750 - 7350 | 1,263 Kč | 189,45 Kč |
| 7500 + | 1,232 Kč | 184,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-6784
- Výrobní číslo:
- RE1C002UNTCL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 200mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | RE1C002UN | |
| Typ balení | SOT-416 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 0.96mm | |
| Délka | 1.7mm | |
| Výška | 0.8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada RE1C002UN | ||
Typ balení SOT-416 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 0.96mm | ||
Délka 1.7mm | ||
Výška 0.8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor
Související odkazy
- řada: RE1C002ZP MOSFET RE1L002SNTL N-kanálový 250 mA 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RE1C001ZP MOSFET RE1C001ZPTL Typ P-kanálový 100 mA 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-416, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-416, počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET N-kanálový 4.5 A 30 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RTQ045N03HZGTR N-kanálový 4.5 A 30 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RQ5E030AJTCL N-kanálový 3 A 30 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RUM002N02 MOSFET RUM002N02T2L N-kanálový 200 mA 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
