řada: RE1C001ZP MOSFET RE1C001ZPTL Typ P-kanálový 100 mA 20 V ROHM, SOT-416, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-6783
- Výrobní číslo:
- RE1C001ZPTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 125 kusech)*
211,375 Kč
(bez DPH)
255,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 22. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 125 - 500 | 1,691 Kč | 211,38 Kč |
| 625 - 1125 | 1,648 Kč | 206,00 Kč |
| 1250 - 3000 | 1,603 Kč | 200,38 Kč |
| 3125 - 6125 | 1,563 Kč | 195,38 Kč |
| 6250 + | 1,522 Kč | 190,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-6783
- Výrobní číslo:
- RE1C001ZPTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-416 | |
| Řada | RE1C001ZP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 40Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 0.9mm | |
| Délka | 1.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-416 | ||
Řada RE1C001ZP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 40Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 0.9mm | ||
Délka 1.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-416, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RE1C002ZP MOSFET RE1L002SNTL N-kanálový 250 mA 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RE1C002UN MOSFET RE1C002UNTCL N-kanálový 200 mA 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-416, počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET Typ P-kanálový 4.5 A 20 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RTQ035P02HZGTR Typ P-kanálový 4.5 A 20 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: UM6J1N MOSFET UM6J1NTN Typ P-kanálový ROHM počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: RTR020P02HZG MOSFET Typ P-kanálový -2 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
