řada: HEXFET MOSFET IRF7606TRPBF Typ P-kanálový -3.6 A -30 V Infineon, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 262-6742
- Výrobní číslo:
- IRF7606TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
240,575 Kč
(bez DPH)
291,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 24. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 9,623 Kč | 240,58 Kč |
| 125 - 225 | 9,139 Kč | 228,48 Kč |
| 250 - 600 | 8,764 Kč | 219,10 Kč |
| 625 - 1225 | 5,77 Kč | 144,25 Kč |
| 1250 + | 4,328 Kč | 108,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 262-6742
- Výrobní číslo:
- IRF7606TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -3.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 150mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.8W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -3.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 150mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.8W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET společnosti Infineon má nízký náboj Gate-to-Drain pro snížení spínacích ztrát. Je vhodný pro použití s vysokofrekvenčními měniči DC/DC.
Plně charakterizované lavinové napětí a proud
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -3.6 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 3.6 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF7380TRPBF Typ N-kanálový 3.6 A 80 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- řada: HEXFET MOSFET IRLML9301TRPBF Typ P-kanálový 3.6 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.6 A 80 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 16 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 10.5 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5.4 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení