řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 3.6 A 80 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný

Skladové číslo RS:: 165-5940
Výrobní číslo:: IRF7380TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 3.6 A 80 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

37 060,00 Kč

(bez DPH)

44 844,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 27. října 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	9,265 Kč	37 060,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-5940
Výrobní číslo:: IRF7380TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	3.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	80V
	Typ balení	SOIC
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	73mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd	2W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	15nC
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Šířka	4mm
	Výška	1.5mm
	Délka	5mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 80V
	Typ balení SOIC
	Řada HEXFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 73mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd 2W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Šířka 4mm
	Výška 1.5mm
	Délka 5mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

MOSFETy Infineon řady HEXFET, 3,6A maximální trvalý vypouštěcí proud, 2W maximální ztrátový výkon - IRF7380TRPBF

Tento tranzistor MOSFET je určen pro efektivní řízení spotřeby v různých elektronických aplikacích. Díky vysokému jmenovitému napětí a trvalému odběrovému proudu 3,6 A je vhodný pro vysokofrekvenční DC-DC měniče, což zajišťuje spolehlivý výkon. Jeho pokročilá konstrukce nabízí praktické řešení pro profesionály v oblasti automatizace, elektroniky a mechaniky, kteří hledají univerzální součástku pro své obvody.

Vlastnosti a výhody

• Standardní průmyslové balení SO-8 zajišťuje kompatibilitu mezi různými výrobci

• Nízké Rds(on) 73mΩ optimalizuje účinnost ve výkonových aplikacích

• Provoz v režimu Enhancement zlepšuje výkonnostní charakteristiky

• Nízký náboj hradla 15nC umožňuje vyšší rychlost spínání

• Maximální napětí 80 V na drenážním zdroji vyhovuje vysokým nárokům na výkon

• Shoda s RoHS a bezhalogenová ochrana podporuje bezpečnost pro životní prostředí

Aplikace

• Používá se ve vysokofrekvenčních DC-DC měničích pro regulaci výkonu

• Efektivní v systémech řízení baterií, které vyžadují nízké ztráty výkonu

• Vhodné pro řídicí jednotky motorů, které potřebují efektivní spínací výkon

• Použití v napájecích jednotkách pro zlepšení celkové účinnosti

• Vhodné pro řízení indukčních zátěží, jako jsou relé a solenoidy

Jaké jsou důsledky maximálního trvalého odtokového proudu?

Maximální trvalý odběrový proud 3,6 A naznačuje jeho schopnost zvládat vyšší proudy v aplikacích, jako jsou napájecí obvody, a zajišťuje stabilní provoz bez přehřátí.

Jak ovlivňuje nízká hodnota Rds(on) výkon?

Nízké Rds(on) 73mΩ snižuje ztráty energie během provozu, čímž zvyšuje celkovou účinnost systému, což je výhodné zejména u vysokofrekvenčních spínacích aplikací.

Jaký význam mají jeho teplotní hodnoty?

Provoz při teplotách od -55 °C do +150 °C zaručuje, že součástka odolá náročným podmínkám prostředí, takže je vhodná pro průmyslové aplikace.

Lze tuto součástku osadit přímo na desky plošných spojů?

Ano, jeho provedení pro povrchovou montáž umožňuje snadnou integraci do rozvržení desek plošných spojů, podporuje efektivní výrobní procesy a zajišťuje úsporu místa v kompaktních konstrukcích.

Jak ovlivňuje prahové napětí hradla jeho činnost?

S prahovým napětím hradla v rozmezí od 2 V do 4 V poskytuje flexibilitu návrhu, což umožňuje kompatibilitu s různými řídicími signály a zároveň zajišťuje účinnou aktivaci zařízení.