řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 4.9 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný

Skladové číslo RS:: 165-5931
Výrobní číslo:: IRF7303TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 4.9 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

26 316,00 Kč

(bez DPH)

31 844,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 23. února 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	6,579 Kč	26 316,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-5931
Výrobní číslo:: IRF7303TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4.9A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SOIC
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	80mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	2W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	16.7nC
	Přímé napětí Vf	1V
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	5mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.5mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.9A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SOIC
	Řada HEXFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 2W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.7nC
	Přímé napětí Vf 1V
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 5mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.5mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 4,9 A, maximální ztrátový výkon 2 W - IRF7303TRPBF

Tento N-kanálový tranzistor MOSFET je určen pro efektivní řízení spotřeby v různých elektronických aplikacích. S maximálním trvalým proudem 4,9 A a napětím na zdroji 30 V poskytuje vysoký výkon v různých prostředích. Díky možnosti povrchové montáže je vhodný pro kompaktní obvody, kde je důležitá prostorová efektivita a tepelný výkon. Toto zařízení prokazuje spolehlivost a efektivitu v oblasti automatizace a elektroniky.

Vlastnosti a výhody

• Zvýšená účinnost s nízkým Rds(on) 80 mΩ

• Vysoká schopnost rozptylu energie s maximálním výkonem 2 W

• Dvoukanálová integrace pro zvýšení funkčnosti návrhů

• Robustní tepelný provoz až do +150 °C pro všestranné použití

• Optimalizováno pro provoz v režimu vylepšení, aby se zlepšilo řízení spotřeby energie

• Kompaktní pouzdro SOIC usnadňuje integraci do moderních desek plošných spojů

Aplikace

• Používá se v napájecích obvodech pro regulaci napětí

• Použití v řídicích systémech motorů pro efektivní provoz

• Vhodné pro osvětlení vyžadující robustní spínání

• Integrace do spotřební elektroniky pro zvýšení energetické účinnosti

• Ideální pro automobilové systémy, které vyžadují spolehlivý výkon

Jaké je maximální napětí na hradle a zdroji pro toto zařízení?

Maximální napětí na hradle a zdroji je ±20 V, což zajišťuje kompatibilitu s různými řídicími obvody.

Jak ovlivňuje hodnota Rds(on) účinnost?

Nižší hodnota Rds(on) snižuje ztráty energie při provozu, čímž zvyšuje celkovou účinnost aplikací.

Může pracovat při extrémních teplotách?

Ano, pracuje v teplotním rozsahu od -55 °C do +150 °C, což je vhodné pro drsné prostředí.

S jakým typem desek plošných spojů je kompatibilní?

Je navržen pro desky s plošnými spoji s technologií povrchové montáže (SMT), což umožňuje efektivní využití prostoru.

Jak by se mělo přistupovat k instalaci této součásti?

Je třeba dbát na použití vhodných technik pájení, aby nedošlo k poškození teplem a aby bylo zajištěno bezpečné uchycení na desce plošných spojů.