AEC-Q101, řada: iPB MOSFET N-kanálový 180 A Infineon, TO-263 Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 260-5121
- Výrobní číslo:
- IPB180N10S402ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 260-5121
- Výrobní číslo:
- IPB180N10S402ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | iPB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada iPB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon optiMOS N-kanál poskytují vynikající nabíjení hradlem. Má nejvyšší proudovou kapacitu. Tento tranzistor MOSFET N-kanálu pracuje v režimu vylepšení.
Režim vylepšení N-kanálu
MSL1 až 260 °C špičkový reflow
100% lavinový test