AEC-Q101, řada: iPB MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2 N-kanálový 180 A Infineon, TO-263 Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

237,37 Kč

(bez DPH)

287,218 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 684 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 18118,685 Kč237,37 Kč
20 - 48106,705 Kč213,41 Kč
50 - 98100,035 Kč200,07 Kč
100 - 19892,625 Kč185,25 Kč
200 +86,695 Kč173,39 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
260-5120
Výrobní číslo:
IPB180N06S4H1ATMA2
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

180A

Řada

iPB

Typ balení

TO-263

Režim kanálu

Vylepšení

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon optiMOS N-kanál poskytují vynikající nabíjení hradlem. Má nejvyšší proudovou kapacitu. Tento tranzistor MOSFET N-kanálu pracuje v režimu vylepšení.

Režim vylepšení N-kanálu

MSL1 až 260 °C špičkový reflow

100% lavinový test

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.