AEC-Q101, řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263 Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

48 135,00 Kč

(bez DPH)

58 243,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +48,135 Kč48 135,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
258-3802
Výrobní číslo:
IPB180N10S403ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

180A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

TO-263

Řada

iPB

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

3.3mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Přímé napětí Vf

1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

108nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-T2 má N-kanálový režim vylepšení normální úrovně. Má provozní teplotu 175 °C.

Certifikace AEC

MSL1 až 260 °C špičkový reflow

Související odkazy