AEC-Q101, řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263 Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 258-3802
- Výrobní číslo:
- IPB180N10S403ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 258-3802
- Výrobní číslo:
- IPB180N10S403ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | iPB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 108nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada iPB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 108nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-T2 má N-kanálový režim vylepšení normální úrovně. Má provozní teplotu 175 °C.
Certifikace AEC
MSL1 až 260 °C špičkový reflow