řada: IPT MOSFET N-kanálový 190 A 150 V Infineon, TOLG, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 260-2673
- Výrobní číslo:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 1800 kusech)*
141 330,60 Kč
(bez DPH)
171 010,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1800 + | 78,517 Kč | 141 330,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 260-2673
- Výrobní číslo:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 190A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | TOLG | |
| Řada | IPT | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.9mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 319W | |
| Přímé napětí Vf | 0.81V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 190A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení TOLG | ||
Řada IPT | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.9mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 319W | ||
Přímé napětí Vf 0.81V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET od společnosti Infineon se dodává ve vylepšeném pouzdru TO s křídly s křídly, které mají kompatibilní rozteč TO bez křídla, což umožňuje vynikající elektrický výkon. Jedná se o nejlepší technologii ve své třídě s vysokým jmenovitým proudem.
Vysoký výkon
Vysoká spolehlivost systému
Vysoká účinnost a nižší EMI
Optimalizované využití desky
Související odkazy
- řada: IPT MOSFET IPTG039N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 190 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 190 A 319 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET IPTC039N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 190 A 319 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 174 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 174 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 143 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový