řada: IPT MOSFET IPTC039N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 190 A 319 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 16 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 260-2670
- Výrobní číslo:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
161,54 Kč
(bez DPH)
195,46 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 21. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 161,54 Kč |
| 10 - 24 | 145,24 Kč |
| 25 - 49 | 135,85 Kč |
| 50 - 99 | 127,70 Kč |
| 100 + | 118,07 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 260-2670
- Výrobní číslo:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 190A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 319V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | IPT | |
| Počet kolíků | 16 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.9mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 74nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 319W | |
| Přímé napětí Vf | 0.81V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.1mm | |
| Normy/schválení | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Výška | 2.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 190A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 319V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada IPT | ||
Počet kolíků 16 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.9mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 74nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 319W | ||
Přímé napětí Vf 0.81V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.1mm | ||
Normy/schválení IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Výška 2.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon MOSFET poskytuje chladicí pouzdro pro vynikající tepelný výkon s inovativním pouzdrem v kombinaci s klíčovými vlastnostmi technologie, která umožňuje nejlepší produkty ve své třídě, stejně jako vysoký jmenovitý proud pro konstrukce s vysokou hustotou výkonu.
Zvýšená účinnost systému umožňuje delší životnost baterie
Vysoká hustota výkonu
Vynikající tepelný výkon
Úspora chladicího systému
Související odkazy
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 190 A 319 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 190 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: IPT MOSFET IPTG039N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 190 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 174 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 174 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET IPTG044N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 174 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: IPT MOSFET IPTC044N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 174 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 8 kolíkový