AEC-Q101, řada: IPT MOSFET IPT039N15N5ATMA1 N-kanálový 190 A 150 V Infineon, HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

143,51 Kč

(bez DPH)

173,65 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 3 800 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9143,51 Kč
10 - 24136,34 Kč
25 - 49130,42 Kč
50 - 99124,98 Kč
100 +116,58 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
249-3349
Výrobní číslo:
IPT039N15N5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

190A

Maximální napětí na zdroji Vds

150V

Typ balení

HSOF-8

Řada

IPT

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

3mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

80nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

81W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový mosfet Infineon Optimos 5 je N-kanál mosfet nabízí velmi nízkou on-odpor a vynikající tepelnou odolnost. Toto zařízení neobsahuje olovo a halogeny. Dodává se v povrchové montáži, balení PG-HSOF-8.

Napětí vypouštění do zdroje (Vdss) je 150 V.

Proud nepřetržitého vypouštění je (ID) při 25 °C je 21 A (TA), 190 A (TC)

Napětí jednotky (max. RDS zapnuto, min. RDS zapnuto) je 8 v a 10 V.

Provozní teplota je od -55°C do 175°C (TJ)

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.