řada: SPD15P10P MOSFET SPD15P10PLGBTMA1 Typ P-kanálový 15 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 258-7790
- Výrobní číslo:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
280,10 Kč
(bez DPH)
338,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 370 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 56,02 Kč | 280,10 Kč |
| 25 - 45 | 48,264 Kč | 241,32 Kč |
| 50 - 120 | 45,398 Kč | 226,99 Kč |
| 125 - 245 | 42,04 Kč | 210,20 Kč |
| 250 + | 30,826 Kč | 154,13 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-7790
- Výrobní číslo:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 15A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | SPD15P10P | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.20Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | -0.96V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 230W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada SPD15P10P | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.20Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf -0.96V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 230W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon SIPMOS patří do vysoce inovativní řady výkonových tranzistorů MOSFET s P-kanálem OptiMOS. Tyto produkty důsledně splňují nejvyšší požadavky na kvalitu a výkon v klíčových specifikacích pro návrh napájecích systémů, jako je stavový odpor a hodnota zásluhových charakteristik.
Režim vylepšení
Odolnost vůči lavině
Bezolovnaté povrchové pokovení
V souladu s RoHS
Související odkazy
- řada: SPD15P10P MOSFET Typ P-kanálový 15 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SPD15P10P MOSFET Typ P-kanálový 4 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SPD15P10P MOSFET SPD04P10PGBTMA1 Typ P-kanálový 4 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SPD15P10P MOSFET Typ P-kanálový 15 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SPD15P10P MOSFET SPD15P10PGBTMA1 Typ P-kanálový 15 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 70 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET IPD042P03L3GATMA1 Typ P-kanálový 70 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 13 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení