řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 6.6 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 913-4795
- Výrobní číslo:
- IRFR9120NTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
20 214,00 Kč
(bez DPH)
24 458,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 10,107 Kč | 20 214,00 Kč |
| 4000 + | 9,602 Kč | 19 204,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 913-4795
- Výrobní číslo:
- IRFR9120NTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 480mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40W | |
| Přímé napětí Vf | -1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.39mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 480mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40W | ||
Přímé napětí Vf -1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Šířka 6.22mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.39mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 6,6 A, maximální ztrátový výkon 40 W - IRFR9120NTRPBF
Tento MOSFET hraje důležitou roli v současných elektronických obvodech, zejména v aplikacích, které vyžadují efektivní řízení proudu. Vyznačuje se vysokým výkonem a nízkým zapínacím odporem, takže je vhodný pro širokou škálu elektrických a elektronických systémů. Toto zařízení je přizpůsobeno požadavkům odvětví, jako je automatizace, elektrotechnika a další oblasti závislé na řešeních správy napájení.
Vlastnosti a výhody
• Vysoký trvalý vypouštěcí proud 6,6A podporuje efektivní provoz
• Schopnost zvládat napětí až 100 V pro náročné aplikace
• Navrženo v pouzdře DPAK TO-252 pro přesnou povrchovou montáž
• Nízký maximální odpor zdroje a odtoku 480 mΩ zvyšuje energetickou účinnost
• Rozsah prahového napětí hradla od 2 V do 4 V pro spolehlivé řízení
• Podporuje provoz v režimu vylepšení pro zvýšení spínacího výkonu
Aplikace
• Používá se pro řízení spotřeby v automatizačních systémech
• Použití v konstrukcích měničů DC-DC
• Vhodné pro spínání vysokého proudu v průmyslových zařízeních
• Integrace do napájecích obvodů pro efektivní výkon
• Použití v obvodech měničů a řízení motorů
Jaká je optimální provozní teplota pro tento výrobek?
Optimální provozní teplota se pohybuje od -55 °C do +150 °C, což umožňuje efektivní výkon v různých prostředích.
Jak může prahové napětí hradla ovlivnit výkon?
Maximální prahové napětí hradla ovlivňuje spínací chování; definovaný rozsah 2V až 4V zajišťuje spolehlivé zapnutí a vypnutí.
Existuje nějaký specifický způsob montáže tohoto zařízení?
Je navržen pro povrchovou montáž, zejména v rozměrech DPAK TO-252, což usnadňuje integraci do plošných spojů.
Co znamená nízká hodnota RDS(on) pro můj obvod?
Nízká hodnota RDS(on) pomáhá minimalizovat ztráty energie během provozu, zvyšuje celkovou účinnost systému a snižuje produkci tepla.
Zvládne tento výrobek zpětný proud?
Ano, má vlastnosti vhodné pro efektivní řízení zpětných proudů a zajišťuje stabilitu v různých aplikacích.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFR9120NTRPBF Typ P-kanálový 6.6 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 13 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -11 A -55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR5505TRPBF Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR5410TRLPBF Typ P-kanálový 13 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení