řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 168-7942
Výrobní číslo:: IRFR9024NTRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

17 114,00 Kč

(bez DPH)

20 708,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

8 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 - 2000	8,557 Kč	17 114,00 Kč
4000 +	8,129 Kč	16 258,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 168-7942
Výrobní číslo:: IRFR9024NTRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	11A
	Maximální napětí na zdroji Vds	55V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	TO-252
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	175mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	19nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	38W
	Přímé napětí Vf	-1.6V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	2.39mm
	Délka	6.73mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A
	Maximální napětí na zdroji Vds 55V
	Řada HEXFET
	Typ balení TO-252
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 175mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 38W
	Přímé napětí Vf -1.6V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 2.39mm
	Délka 6.73mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 11 A, maximální ztrátový výkon 38 W - IRFR9024NTRPBF

Tento P-kanálový MOSFET využívající technologii HEXFET poskytuje efektivní výkon v celé řadě elektronických aplikací. Díky svým robustním vlastnostem je klíčovou součástí pro uživatele v oblasti automatizace, elektroniky, elektrotechniky a strojírenství. Tento produkt je schopen zvládat vysoké proudové zatížení a zároveň zajišťuje účinnou regulaci ve výkonových obvodech.

Vlastnosti a výhody

• Maximální trvalý odtokový proud 11 A usnadňuje vysoce výkonné aplikace

• Odolnost vůči napětí na zdroji až 55 V pro vyšší spolehlivost

• Nízký RDS(on) 175 mΩ minimalizuje ztráty energie během provozu

• Konstrukce režimu vylepšení optimalizuje účinnost pro různá použití

• Pouzdro DPAK TO-252 pro povrchovou montáž zjednodušuje integraci a osazování DPS

Aplikace

• Efektivní řízení energie v napájecích obvodech

• Vhodné pro řízení motoru potřebují vysoký proud

• Použití v měničích DC-DC pro zvýšení účinnosti

• Ideální pro spínání zátěže díky rychlým reakčním dobám

• Použití v systémech průmyslové automatizace pro zvýšení spolehlivosti

Jaký je maximální ztrátový výkon této součástky?

Jeho maximální příkon je 38 W.

Jak produkt zvládá napětí na hradlech?

Hradlo může být napájeno napětím od -20 V do +20 V, což umožňuje flexibilitu návrhu.

Jaký je tepelný výkon zařízení?

Pracuje bezpečně při maximální teplotě 150 °C, což zaručuje spolehlivost v různých prostředích.

Lze jej snadno namontovat na desku plošných spojů?

Ano, pouzdro DPAK TO-252 umožňuje přímou povrchovou montáž na desky s plošnými spoji.

Jak se tento MOSFET chová při různých teplotách?

Zůstává funkční v širokém rozsahu teplot od -55 °C do +150 °C, což vyhovuje různým aplikačním potřebám.