řada: HEXFET MOSFET IRFR9024NTRLPBF Typ P-kanálový -11 A -55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 262-6770
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-41-678
- Výrobní číslo:
- IRFR9024NTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
630,10 Kč
(bez DPH)
762,425 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 10. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 25,204 Kč | 630,10 Kč |
| 125 - 225 | 23,939 Kč | 598,48 Kč |
| 250 - 600 | 22,951 Kč | 573,78 Kč |
| 625 - 1225 | 21,934 Kč | 548,35 Kč |
| 1250 + | 13,862 Kč | 346,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 262-6770
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-41-678
- Výrobní číslo:
- IRFR9024NTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -55V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 175mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 38W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -55V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 175mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 38W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET společnosti Infineon využívá nejnovější techniky zpracování pro dosažení extrémně nízkého odporu na křemíkovou plochu. Poskytuje návrháři mimořádně účinné a spolehlivé zařízení pro použití v široké škále aplikací.
Plně odolné vůči lavinám
Rychlé spínání
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -11 A -55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR9024NTRPBF Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET AUIRFR9024NTRL Typ N-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR5505TRPBF Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení