řada: HEXFET MOSFET IRLB4132PBF 150 A 30 V Infineon, TO-220
- Skladové číslo RS:
- 258-3994
- Výrobní číslo:
- IRLB4132PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
261,33 Kč
(bez DPH)
316,21 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 895 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 52,266 Kč | 261,33 Kč |
| 50 - 120 | 46,534 Kč | 232,67 Kč |
| 125 - 245 | 43,472 Kč | 217,36 Kč |
| 250 - 495 | 40,904 Kč | 204,52 Kč |
| 500 + | 37,544 Kč | 187,72 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3994
- Výrobní číslo:
- IRLB4132PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 150A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | Lead-Free, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 150A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení Lead-Free, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Infineon HEXFET je optimalizován pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů. Kvalifikace produktu podle normy JEDEC.
Optimalizováno pro napětí hradla 5 V
Průmyslové standardní průchozí napájecí pouzdro
Pouzdro s vysokou nosností proudu
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET 150 A 30 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 150 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 35 A 150 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRLB8743PBF Typ N-kanálový 150 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRL7833PBF Typ N-kanálový 150 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB5615PBF Typ N-kanálový 35 A 150 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET 8.7 A 150 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFI4019H-117PXKMA1 8.7 A 150 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový