řada: HEXFET MOSFET IRFB5615PBF N-kanálový 35 A 150 V Infineon, TO-220 Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*

287,51 Kč

(bez DPH)

347,89 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 980 jednotka(y) budou odesílané od 22. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2057,502 Kč287,51 Kč
25 - 4551,82 Kč259,10 Kč
50 - 12048,264 Kč241,32 Kč
125 - 24544,954 Kč224,77 Kč
250 +41,496 Kč207,48 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
257-9355
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-40-527
Výrobní číslo:
IRFB5615PBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

35A

Maximální napětí na zdroji Vds

150V

Typ balení

TO-220

Řada

HEXFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Maximální odpor zdroje Rds

39mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

+175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Řada Infineon IRFB je 150V jednoduchý nkanálový digitální audio výkonový mosfet v pouzdru TO 220. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.

Standardní kolíkový výsuv umožňuje výměnu

Pouzdro s vysokou odolností vůči proudu

Kvalifikační úroveň podle průmyslového standardu

Vysoký výkon v aplikacích s nízkou frekvencí

Zvýšená hustota výkonu

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.