řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 35 A 150 V Infineon, TO-220 Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tuba po 100 kusech)*

2 451,70 Kč

(bez DPH)

2 966,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 900 jednotka(y) budou odesílané od 22. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
100 - 10024,517 Kč2 451,70 Kč
200 - 40020,106 Kč2 010,60 Kč
500 +18,878 Kč1 887,80 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
257-9354
Výrobní číslo:
IRFB5615PBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

35A

Maximální napětí na zdroji Vds

150V

Typ balení

TO-220

Řada

HEXFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Maximální odpor zdroje Rds

39mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

+175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Řada Infineon IRFB je 150V jednoduchý nkanálový digitální audio výkonový mosfet v pouzdru TO 220. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.

Standardní kolíkový výsuv umožňuje výměnu

Pouzdro s vysokou odolností vůči proudu

Kvalifikační úroveň podle průmyslového standardu

Vysoký výkon v aplikacích s nízkou frekvencí

Zvýšená hustota výkonu

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.