řada: HEXFET MOSFET IRFR6215TRLPBF Typ P-kanálový -13 A -150 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 258-3986
- Výrobní číslo:
- IRFR6215TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
260,83 Kč
(bez DPH)
315,61 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 395 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 52,166 Kč | 260,83 Kč |
| 50 - 120 | 47,028 Kč | 235,14 Kč |
| 125 - 245 | 44,41 Kč | 222,05 Kč |
| 250 - 495 | 41,298 Kč | 206,49 Kč |
| 500 + | 38,136 Kč | 190,68 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3986
- Výrobní číslo:
- IRFR6215TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -150V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 580mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -150V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 580mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Infineon HEXFET je pátá generace tranzistorů HEXFET od společnosti International Rectifier, které využívají pokročilé techniky zpracování pro dosažení nejnižšího možného odporu při zapnutí na křemíkovou plochu. Tato výhoda v kombinaci s vysokou spínací rychlostí a robustní konstrukcí zařízení, pro kterou jsou výkonové tranzistory HEXFET MOSFET dobře známé, poskytuje návrhářům mimořádně efektivní zařízení pro použití v široké škále aplikací. Model D-PAK je určen pro povrchovou montáž pomocí technik pájení v párové fázi, infračerveného pájení nebo pájení vlnou. Verze s přímým vodičem je určena pro montáž do průchozího otvoru. Úrovně rozptýlení výkonu až 1,5 W jsou možné v typických aplikacích pro povrchovou montáž.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
zvýšená odolnost
Široká dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikační úroveň podle průmyslového standardu
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -13 A -150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový -13 A -150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR6215TRPBF N-kanálový -13 A -150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 13 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR5410TRPBF Typ P-kanálový 13 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR5410TRLPBF Typ P-kanálový 13 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 33 A 150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR4615TRLPBF N-kanálový 33 A 150 V Infineon, TO-252