řada: HEXFET MOSFET N-kanálový -13 A -150 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 257-9412
- Výrobní číslo:
- IRFR6215TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2000 jednotky/-ek, v kotouči po 2000 ks)*
29 522,00 Kč
(bez DPH)
35 722,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 14,761 Kč | 29 522,00 Kč |
| 4000 + | 14,023 Kč | 28 046,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9412
- Výrobní číslo:
- IRFR6215TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -150V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 580mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -150V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 580mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRFR je IR mosfet s jedním p-kanálem -150 V v pouzdru D Pak. Řada IR Mosfet výkonových Mosfet využívá osvědčené křemíkové procesy a nabízí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií. Zařízení jsou k dispozici v různých pouzdrech pro povrchovou montáž a průchozí otvor s průmyslovými stopami pro snadné navrhování.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFR6215TRPBF N-kanálový -13 A -150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -13 A -150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR6215TRLPBF Typ P-kanálový -13 A -150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 33 A 150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR4615TRLPBF N-kanálový 33 A 150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 100 A 20 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 31 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon, TO-252