AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD35N12S3L24ATMA1 Typ N-kanálový 35 A 120 V Infineon, PG-TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 258-3840
- Výrobní číslo:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
271,21 Kč
(bez DPH)
328,165 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 925 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 54,242 Kč | 271,21 Kč |
| 50 - 120 | 44,46 Kč | 222,30 Kč |
| 125 - 245 | 41,744 Kč | 208,72 Kč |
| 250 - 495 | 38,532 Kč | 192,66 Kč |
| 500 + | 35,766 Kč | 178,83 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3840
- Výrobní číslo:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 35A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Řada | IPD | |
| Typ balení | PG-TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 24mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 71W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 35A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Řada IPD | ||
Typ balení PG-TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 24mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 71W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-T je výkonový tranzistor MOSFET pro automobilové aplikace. Má provozní teplotu 175 °C.
N-kanál – režim vylepšení
Certifikace AEC Q101 pro automobilový průmysl
MSL1 až 260 °C špičkový reflow
Související odkazy
- AEC-Q101 PG-TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 PG-TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO-252 Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO-252 Vylepšení
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 30 A Infineon, PG-TO-252 N
- řada: IPD MOSFET IPD30N06S2L23ATMA3 Typ N-kanálový 30 A Infineon, PG-TO-252 N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový