MPN

řada: IPD MOSFET IPD30N06S2L23ATMA3 Typ N-kanálový 30 A Infineon, PG-TO-252 N

Skladové číslo RS:: 260-5129
Výrobní číslo:: IPD30N06S2L23ATMA3
Výrobce:: Infineon

řada: IPD MOSFET IPD30N06S2L23ATMA3 Typ N-kanálový 30 A Infineon, PG-TO-252 N

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

59,53 Kč

(bez DPH)

72,03 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

1 520 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
5 - 45	11,906 Kč	59,53 Kč
50 - 120	10,276 Kč	51,38 Kč
125 - 245	9,88 Kč	49,40 Kč
250 - 495	9,682 Kč	48,41 Kč
500 +	9,436 Kč	47,18 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 260-5129
Výrobní číslo:: IPD30N06S2L23ATMA3
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	30A
	Řada	IPD
	Typ balení	PG-TO-252
	Typ montáže	Povrch
	Režim kanálu	N
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A
	Řada IPD
	Typ balení PG-TO-252
	Typ montáže Povrch
	Režim kanálu N
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPD30N06S2L23ATMA3

Tranzistor Infineon N-kanál MOSFET pracuje v režimu vylepšení. Jeho maximální rozptyl výkonu je 100 W. Tento tranzistor MOSFET má provozní teplotní rozsah -55 °C až 175 °C.

Režim vylepšení N-kanálu

Mimořádně nízké hodnoty Rds(on)

100% lavinový test

řada: IPD MOSFET IPD30N06S2L23ATMA3 Typ N-kanálový 30 A Infineon, PG-TO-252 N

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy