AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 35 A 120 V Infineon, PG-TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

30 530,00 Kč

(bez DPH)

36 942,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +12,212 Kč30 530,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
258-3839
Výrobní číslo:
IPD35N12S3L24ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

35A

Maximální napětí na zdroji Vds

120V

Řada

IPD

Typ balení

PG-TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

24mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1V

Maximální ztrátový výkon Pd

71W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

30nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-T je výkonový tranzistor MOSFET pro automobilové aplikace. Má provozní teplotu 175 °C.

N-kanál – režim vylepšení

Certifikace AEC Q101 pro automobilový průmysl

MSL1 až 260 °C špičkový reflow

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.