řada: OptiMOS MOSFET BSC019N04LSATMA1 Typ N-kanálový 161 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 258-0683
- Výrobní číslo:
- BSC019N04LSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
78,30 Kč
(bez DPH)
94,74 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 976 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 39,15 Kč | 78,30 Kč |
| 20 - 48 | 34,95 Kč | 69,90 Kč |
| 50 - 98 | 33,345 Kč | 66,69 Kč |
| 100 - 198 | 30,63 Kč | 61,26 Kč |
| 200 + | 28,775 Kč | 57,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-0683
- Výrobní číslo:
- BSC019N04LSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 161A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TDSON | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.7mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 78W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 161A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TDSON | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.7mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 78W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon OptiMOS 40V je ideální volbou pro synchronní usměrňování v spínaných napájecích zdrojích, jako jsou například napájecí zdroje na serverech a stolních počítačích. Kromě toho lze tato zařízení použít pro širokou škálu průmyslových aplikací, včetně řízení motorů a rychlých spínacích měničů DC/DC.
Vynikající nabíjení hradla x produkt R DS(on) (FOM)
Velmi nízký odpor při zapnutí R DS(on)
Ideální pro aplikace s rychlým spínáním
Nejvyšší účinnost systému
Vyžaduje méně paralelizace
Zvýšená hustota výkonu
Snížení nákladů na systém
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 161 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 119 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 110 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET BSC026N04LSATMA1 Typ N-kanálový 119 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET BSC014NE2LSIATMA1 Typ N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET BSC024NE2LSATMA1 Typ N-kanálový 110 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 257 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový