řada: OptiMOS MOSFET BSC019N04LSATMA1 N-kanálový 161 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 258-0683
- Výrobní číslo:
- BSC019N04LSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 20 kusů a ušetřete 10%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
78,30 Kč
(bez DPH)
94,74 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 976 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 39,15 Kč | 78,30 Kč | - |
| 20 - 48 | 34,95 Kč | 69,90 Kč | 10% |
| 50 - 98 | 33,345 Kč | 66,69 Kč | 14% |
| 100 - 198 | 30,63 Kč | 61,26 Kč | 21% |
| 200 + | 28,775 Kč | 57,55 Kč | 26% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-0683
- Výrobní číslo:
- BSC019N04LSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 161A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TDSON | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.20mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 78W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | +175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 161A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TDSON | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.20mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 78W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota +175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální napětí vypouštění-zdroj 40 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 161 A – BSC019N04LSATMA1
Tento MOSFET je výkonový tranzistor N-kanálu pro povrchovou montáž, který je navržen pro vysokoproudé spínání v kompaktních sestavách. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a je vhodný pro tepelně namáhaná prostředí. Zařízení nabízí nízké ztráty při vedení a je dodáváno v osmkolíkovém pouzdru TDSON pro hustá uspořádání desek.
Charakteristiky a výhody:
• Rds(on) 1,20 mΩ snižuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Rozptýlení výkonu 78 W podporuje trvale vysoký výkon
• Nabíjení hradla 21 nC umožňuje řízené přepínání
• Jmenovitá hodnota hradla ±20 V toleruje robustní napětí pohonu
• Rozsah -55 °C až +175 °C umožňuje odolnost vůči extrémním teplotám
• Rozptýlení výkonu 78 W podporuje trvale vysoký výkon
• Nabíjení hradla 21 nC umožňuje řízené přepínání
• Jmenovitá hodnota hradla ±20 V toleruje robustní napětí pohonu
• Rozsah -55 °C až +175 °C umožňuje odolnost vůči extrémním teplotám
Aplikace
• Vhodné pro vysokoproudé stupně převodu DC/DC
• Ideální pro synchronní usměrnění v napájecích zdrojích
• Používá se s ovladači MOSFET v měničích pro řízení motoru
• Lze použít pro serverové a telekomunikační rozvody napájení
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
• Ideální pro synchronní usměrnění v napájecích zdrojích
• Používá se s ovladači MOSFET v měničích pro řízení motoru
• Lze použít pro serverové a telekomunikační rozvody napájení
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
Jaký typ pouzdra usnadňuje uspořádání kompaktních desek?
Dodává se v osmkolíkovém pouzdru TDSON pro povrchovou montáž, který šetří plochu desky a usnadňuje tepelné rozhraní.
Jak zařízení zvládá vysoké nepřetržité proudy?
Tranzistor podporuje nepřetržitý vypouštěcí proud 161 A, což umožňuje trvalé vysokoproudé spínání při montáži s odpovídajícím tepelným řízením.
Jaké normy a omezení materiálu se vztahují na součást?
Zařízení splňuje požadavky RoHS a splňuje materiálové specifikace IEC 61249-2-21.
Jaká je maximální napěťová kapacita mezi vypouštěním a zdrojem?
Maximální přípustné napětí odtoku-zdroje je 40 V, což definuje jeho bezpečnou hranici provozního napětí.
Jakou konfiguraci kanálu tranzistor používá?
Používá konfiguraci N-kanálu vhodnou pro topologie spínání na nízké nebo synchronní straně.
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 161 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 119 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 110 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET BSC026N04LSATMA1 N-kanálový 119 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET BSC024NE2LSATMA1 N-kanálový 110 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET BSC014NE2LSIATMA1 N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 257 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový