řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 161 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 258-0682
Výrobní číslo:: BSC019N04LSATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 161 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový N

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

54 540,00 Kč

(bez DPH)

65 995,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 11. ledna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	10,908 Kč	54 540,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 258-0682
Výrobní číslo:: BSC019N04LSATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	161A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Řada	OptiMOS
	Typ balení	TDSON
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	1.20mΩ
	Režim kanálu	N
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	21nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	78W
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	+175°C
	Normy/schválení	RoHS, IEC 61249-2-21
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 161A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Řada OptiMOS
	Typ balení TDSON
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 1.20mΩ
	Režim kanálu N
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 21nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 78W
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota +175°C
	Normy/schválení RoHS, IEC 61249-2-21
	Automobilový standard Ne

Datasheet - BSC019N04LSATMA1

MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální napětí vypouštění-zdroj 40 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 161 A – BSC019N04LSATMA1

Tento MOSFET je výkonový tranzistor N-kanálu pro povrchovou montáž, který je navržen pro vysokoproudé spínání v kompaktních sestavách. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a je vhodný pro tepelně namáhaná prostředí. Zařízení nabízí nízké ztráty při vedení a je dodáváno v osmkolíkovém pouzdru TDSON pro hustá uspořádání desek.

Charakteristiky a výhody:

• Rds(on) 1,20 mΩ snižuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Rozptýlení výkonu 78 W podporuje trvale vysoký výkon
• Nabíjení hradla 21 nC umožňuje řízené přepínání
• Jmenovitá hodnota hradla ±20 V toleruje robustní napětí pohonu
• Rozsah -55 °C až +175 °C umožňuje odolnost vůči extrémním teplotám

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé stupně převodu DC/DC
• Ideální pro synchronní usměrnění v napájecích zdrojích
• Používá se s ovladači MOSFET v měničích pro řízení motoru
• Lze použít pro serverové a telekomunikační rozvody napájení
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž

Jaký typ pouzdra usnadňuje uspořádání kompaktních desek?

Dodává se v osmkolíkovém pouzdru TDSON pro povrchovou montáž, který šetří plochu desky a usnadňuje tepelné rozhraní.

Jak zařízení zvládá vysoké nepřetržité proudy?

Tranzistor podporuje nepřetržitý vypouštěcí proud 161 A, což umožňuje trvalé vysokoproudé spínání při montáži s odpovídajícím tepelným řízením.

Jaké normy a omezení materiálu se vztahují na součást?

Zařízení splňuje požadavky RoHS a splňuje materiálové specifikace IEC 61249-2-21.

Jaká je maximální napěťová kapacita mezi vypouštěním a zdrojem?

Maximální přípustné napětí odtoku-zdroje je 40 V, což definuje jeho bezpečnou hranici provozního napětí.

Jakou konfiguraci kanálu tranzistor používá?

Používá konfiguraci N-kanálu vhodnou pro topologie spínání na nízké nebo synchronní straně.