řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 119 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 218-2973
Výrobní číslo:: BSC026N04LSATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 119 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový N

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

41 605,00 Kč

(bez DPH)

50 340,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 11. října 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	8,321 Kč	41 605,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 218-2973
Výrobní číslo:: BSC026N04LSATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	119A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	TDSON
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	2.6mΩ
	Režim kanálu	N
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální ztrátový výkon Pd	63W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	45nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	6.1mm
	Normy/schválení	No
	Délka	5.35mm
	Výška	1.2mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 119A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení TDSON
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 2.6mΩ
	Režim kanálu N
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální ztrátový výkon Pd 63W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 6.1mm
	Normy/schválení No
	Délka 5.35mm
	Výška 1.2mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - BSC026N04LSATMA1

MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 40 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 119 A – BSC026N04LSATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudý N-kanálový tranzistor navržený pro spínání napájení v povrchově namontovaných systémech, který zajišťuje řízené vedení pro převod DC-DC a podobné úkoly řízení napájení v široké škále provozních podmínek.

Charakteristiky a výhody:

• Maximální napětí mezi vypouštěním a zdrojem podporuje provoz systému 40 V
• Velmi nízký odpor při zapnutí snižuje ztráty při vedení při 2.6 mΩ
• Jmenovitý nepřetržitý vypouštěcí proud umožňuje manipulaci s trvalým zatížením 119 A
• Typický náboj hradla 45 nC minimalizuje spínací energii a zpoždění
• Možnost rozptylu výkonu umožňuje tepelnou manipulaci 63 W během provozu
• Odolnost brány vůči zdroji napětí až 20 V pro robustní marži pohonu

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé měniče DC/DC v napájecích zdrojích
• Ideální pro spínání stupňů v automobilových napájecích modulech
• Používá se pro poloviční můstky motorových pohonů vyžadující nízké ztráty při vodivosti
• Lze použít pro vysoce účinné synchronní usměrňování
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž

V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě pracovat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C pro rozšířené tepelné rozpětí.

Jaké pouzdro a způsob montáže se používají pro kompaktní konstrukce?

Dodává se v 8kolíkovém pouzdru TDSON určeném pro povrchovou montáž.

Jak jeho propustné napětí ovlivňuje konstrukci výkonového stupně?

Při výpočtu ztrát při vedení a výběru úrovní pohonu hradla je třeba vzít v úvahu propustné napětí 1 V.

Jaký kanál a režim vedení používá zařízení?

Používá kanál typu N pracující v režimu zesílení pro standardní spínací chování MOSFET.