řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN
- Skladové číslo RS:
- 257-9444
- Výrobní číslo:
- IRLHS6242TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*
12 748,00 Kč
(bez DPH)
15 424,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 3,187 Kč | 12 748,00 Kč |
| 8000 + | 3,107 Kč | 12 428,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9444
- Výrobní číslo:
- IRLHS6242TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 22A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 9.6W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 22A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 9.6W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRLHS je výkonný IRFET Mosfet s 20 V N kanálem v pouzdru PQFN 2x2. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Nízký RDS (zapnuto) v malém pouzdru
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRLHS6242TRPBF Typ N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 49 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.4 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLHS6276TRPBF Typ N-kanálový 3.4 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRFH6200TRPBF Typ N-kanálový 49 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLHM620TRPBF Typ N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN