řada: HEXFET MOSFET IRLHS6376TRPBF N-kanálový 7.60 A 30 V Infineon, PQFN Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 257-9447
- Výrobní číslo:
- IRLHS6376TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 4%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
124,74 Kč
(bez DPH)
150,94 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 01. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 12,474 Kč | 124,74 Kč | - |
| 100 - 240 | 11,856 Kč | 118,56 Kč | 4% |
| 250 - 490 | 10,621 Kč | 106,21 Kč | 14% |
| 500 - 990 | 7,509 Kč | 75,09 Kč | 39% |
| 1000 + | 6,644 Kč | 66,44 Kč | 46% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9447
- Výrobní číslo:
- IRLHS6376TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 63mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 4.9W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 63mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 4.9W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí vypouštění-zdroj 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 7,60 A – IRLHS6376TRPBF
Tento MOSFET je N-kanálový tranzistor s režimem zesílení navržený pro spínání a řízení napájení v elektronických systémech. Pracuje v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do 150 °C a splňuje požadavky RoHS, díky čemuž je vhodný tam, kde jsou vyžadovány regulované normy pro materiály. Zařízení je dodáváno v pouzdru PQFN určeném pro montáž do průchozího otvoru.
Charakteristiky a výhody:
• RDS(on) 63 mΩ minimalizuje ztráty při vedení pro lepší účinnost
• 30V VDS umožňuje použití při nízkonapěťovém spínání napájení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 7.60 A podporuje trvalé přenášení zátěže
• Typický náboj hradla 2.8 nC umožňuje vysokorychlostní spínání
• Rozptýlení výkonu 4.9 W zvládá tepelnou zátěž v mezích
• 30V VDS umožňuje použití při nízkonapěťovém spínání napájení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 7.60 A podporuje trvalé přenášení zátěže
• Typický náboj hradla 2.8 nC umožňuje vysokorychlostní spínání
• Rozptýlení výkonu 4.9 W zvládá tepelnou zátěž v mezích
Aplikace
• Vhodné pro nízkonapěťové obvody pohonu motoru
• Ideální pro sekundární spínací stupně napájecích zdrojů
• Používá se pro řízení baterií a převod DC/DC
• Lze použít pro telekomunikační a průmyslové přepínání
• Vhodné pro spotřebitelské napájecí moduly řízené teplem
• Ideální pro sekundární spínací stupně napájecích zdrojů
• Používá se pro řízení baterií a převod DC/DC
• Lze použít pro telekomunikační a průmyslové přepínání
• Vhodné pro spotřebitelské napájecí moduly řízené teplem
Jaké napětí hradla lze aplikovat bez poškození?
Maximální jmenovité napětí mezi bránou a zdrojem je 12 V.
Jak tepelná tolerance ovlivňuje nasazení?
Zařízení pracuje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v prostředích s velkými teplotními rozdíly.
Jaká typická spínací charakteristika je relevantní pro konstrukci pohonu hradla?
Typický celkový náboj hradla je 2,8 nC za jmenovitých podmínek pohonu hradla.
Jaké pouzdro a způsob montáže jsou k dispozici pro integraci PCB?
Dodává se v pouzdru PQFN konfigurovaném pro montáž do průchozího otvoru.
Je toto zařízení určeno pro použití v automobilovém průmyslu?
Není označen jako vyhovující normám pro automobilový průmysl.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 7.60 A 30 V Infineon, PQFN Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 159 A 40 V Infineon, PQFN Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLHS6242TRPBF N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFH7440TRPBF N-kanálový 159 A 40 V Infineon, PQFN Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 100 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 44 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 10 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
