řada: HEXFET MOSFET IRLHS6376TRPBF Typ N-kanálový 3.6 A 30 V Infineon, PQFN
- Skladové číslo RS:
- 257-9447
- Výrobní číslo:
- IRLHS6376TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
75,58 Kč
(bez DPH)
91,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 980 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,558 Kč | 75,58 Kč |
| 100 - 240 | 7,212 Kč | 72,12 Kč |
| 250 - 490 | 6,422 Kč | 64,22 Kč |
| 500 - 990 | 4,545 Kč | 45,45 Kč |
| 1000 + | 4,001 Kč | 40,01 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9447
- Výrobní číslo:
- IRLHS6376TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 4.9W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 4.9W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRLHS je výkonný 30V dvoukanálový N-kanálový výkonný IRFET mosfet v pouzdru PQFN 2x2. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS(on) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Nízký RDS (zapnuto) v malém pouzdru
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.6 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLHM630TRPBF Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRFHM830TRPBF Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.4 A 20 V Infineon, PQFN