řada: HEXFET MOSFET IRFH7440TRPBF N-kanálový 159 A 40 V Infineon, PQFN Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 257-9382
- Výrobní číslo:
- IRFH7440TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
211,93 Kč
(bez DPH)
256,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 915 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 42,386 Kč | 211,93 Kč |
| 50 - 120 | 38,186 Kč | 190,93 Kč |
| 125 - 245 | 35,568 Kč | 177,84 Kč |
| 250 - 495 | 33,098 Kč | 165,49 Kč |
| 500 + | 30,48 Kč | 152,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9382
- Výrobní číslo:
- IRFH7440TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 159A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 92nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 104W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 900μm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 6mm | |
| Délka | 5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 159A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 92nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 104W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 900μm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 6mm | ||
Délka 5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRFH je 40V jednoduchý nkanálový výkonný IRFET mosfet v pouzdru PQFN 5x6. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí křemíkovou generací
K dispozici široké portfolio
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 159 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 40 A 60 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 117 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 259 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 265 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLHM630TRPBF N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN