řada: HEXFET MOSFET IRFHM3911TRPBF Typ N-kanálový 3.2 A 100 V Infineon, PQFN
- Skladové číslo RS:
- 257-9387
- Výrobní číslo:
- IRFHM3911TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
121,33 Kč
(bez DPH)
146,81 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 12,133 Kč | 121,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9387
- Výrobní číslo:
- IRFHM3911TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRFHM je 100V jednoduchý N-kanálový IR mosfet v pouzdru PQFN 3,3 x 3,3. Řada IR Mosfet výkonových Mosfet využívá osvědčené křemíkové procesy a nabízí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií. Zařízení jsou k dispozici v různých pouzdrech pro povrchovou montáž a průchozí otvor s průmyslovými stopami pro snadné navrhování.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.2 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLH5030TRPBF Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 60 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 85 A 60 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 117 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN