řada: HEXFET MOSFET IRLH5030TRPBF Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN
- Skladové číslo RS:
- 257-5877
- Výrobní číslo:
- IRLH5030TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
125,72 Kč
(bez DPH)
152,12 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 780 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 62,86 Kč | 125,72 Kč |
| 20 - 48 | 56,44 Kč | 112,88 Kč |
| 50 - 98 | 52,86 Kč | 105,72 Kč |
| 100 - 198 | 34,58 Kč | 69,16 Kč |
| 200 + | 31,245 Kč | 62,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5877
- Výrobní číslo:
- IRLH5030TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 88A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9.9mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 88A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9.9mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon strongIRFET je optimalizována pro nízký RDS a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Průmyslové standardní napájecí pouzdro pro povrchovou montáž
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání níže <100 kHz
Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí křemíkovou generací
K dispozici široké portfolio
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.2 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRFHM3911TRPBF Typ N-kanálový 3.2 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.6 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 265 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
