řada: HEXFET MOSFET IRLHS6276TRPBF Typ N-kanálový 3.4 A 20 V Infineon, PQFN
- Skladové číslo RS:
- 257-5826
- Výrobní číslo:
- IRLHS6276TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
108,68 Kč
(bez DPH)
131,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 570 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 10,868 Kč | 108,68 Kč |
| 100 - 240 | 10,349 Kč | 103,49 Kč |
| 250 - 490 | 9,238 Kč | 92,38 Kč |
| 500 - 990 | 6,546 Kč | 65,46 Kč |
| 1000 + | 5,335 Kč | 53,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5826
- Výrobní číslo:
- IRLHS6276TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 9.6W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 9.6W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon strongIRFET je optimalizována pro nízký RDS a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Průmyslové standardní napájecí pouzdro pro povrchovou montáž
Nízká hodnota RDS(on) v malém pouzdru
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.4 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 49 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLHS6242TRPBF Typ N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRFH6200TRPBF Typ N-kanálový 49 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLHM620TRPBF Typ N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN