řada: HEXFET MOSFET IRLHS6276TRPBF N-kanálový 3.4 A 20 V Infineon, PQFN
- Skladové číslo RS:
- 257-5826
- Výrobní číslo:
- IRLHS6276TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 59,30 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
119,55 Kč
(bez DPH)
144,66 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 570 jednotka(y) budou odesílané od 10. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,955 Kč | 119,55 Kč | - |
| 100 - 240 | 11,362 Kč | 113,62 Kč | 59,30 Kč |
| 250 - 490 | 10,176 Kč | 101,76 Kč | 444,75 Kč |
| 500 - 990 | 7,212 Kč | 72,12 Kč | 2 371,50 Kč |
| 1000 + | 5,879 Kč | 58,79 Kč | 6 076,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5826
- Výrobní číslo:
- IRLHS6276TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 9.6W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 2mm | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 9.6W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 2mm | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon strongIRFET je optimalizována pro nízký RDS a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Průmyslové standardní napájecí pouzdro pro povrchovou montáž
Nízká hodnota RDS(on) v malém pouzdru
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 3.4 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 49 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRFH6200TRPBF N-kanálový 49 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLHM620TRPBF N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 22 A 20 V Infineon, PQFN Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN