řada: HEXFET MOSFET IRLHM620TRPBF Typ N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- Skladové číslo RS:
- 257-5802
- Výrobní číslo:
- IRLHM620TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
123,50 Kč
(bez DPH)
149,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 970 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 24,70 Kč | 123,50 Kč |
| 50 - 120 | 22,23 Kč | 111,15 Kč |
| 125 - 245 | 20,798 Kč | 103,99 Kč |
| 250 - 495 | 16,056 Kč | 80,28 Kč |
| 500 + | 11,51 Kč | 57,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5802
- Výrobní číslo:
- IRLHM620TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.5mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 37W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.5mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 37W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon strongIRFET je optimalizována pro nízký RDS a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Potenciální alternativa k pouzdru SuperSO8 s vysokým RDS(on)
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 159 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 117 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 265 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 60 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 259 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLHM630TRPBF Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN