řada: HEXFET MOSFET IRLHM620TRPBF N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- Skladové číslo RS:
- 257-5802
- Výrobní číslo:
- IRLHM620TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 10%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
172,41 Kč
(bez DPH)
208,62 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 970 jednotka(y) budou odesílané od 10. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 34,482 Kč | 172,41 Kč | - |
| 50 - 120 | 31,024 Kč | 155,12 Kč | 10% |
| 125 - 245 | 29,048 Kč | 145,24 Kč | 15% |
| 250 - 495 | 22,428 Kč | 112,14 Kč | 34% |
| 500 + | 16,056 Kč | 80,28 Kč | 53% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5802
- Výrobní číslo:
- IRLHM620TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.5mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 37W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.5mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 37W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon strongIRFET je optimalizována pro nízký RDS a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Potenciální alternativa k pouzdru SuperSO8 s vysokým RDS(on)
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 40 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 117 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 40 A 60 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 259 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 265 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRFH7446TRPBF N-kanálový 117 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRFH5406TRPBF N-kanálový 40 A 60 V Infineon, PQFN