řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 259 A 40 V Infineon, PQFN

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
257-9379
Výrobní číslo:
IRFH7004TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

259A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Typ balení

PQFN

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

1.4mΩ

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

129nC

Maximální ztrátový výkon Pd

156W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

0.9V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

5mm

Výška

0.9mm

Šířka

6mm

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Řada Infineon IRFH je 40V jednoduchý nkanálový výkonný IRFET mosfet v pouzdru PQFN 5x6. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.

Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu

Kvalifikace produktu podle normy JEDEC

Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz

Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí křemíkovou generací

K dispozici široké portfolio

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.