řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 25 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 257-5535
- Výrobní číslo:
- IRFHS8242TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*
16 608,00 Kč
(bez DPH)
20 096,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 4,152 Kč | 16 608,00 Kč |
| 8000 + | 3,653 Kč | 14 612,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5535
- Výrobní číslo:
- IRFHS8242TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.9mm | |
| Délka | 2mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.9mm | ||
Délka 2mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon strongIRFET je optimalizována pro nízký RDS a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Nízký RDSon (< 58 m)
Nízký tepelný odpor PCB (<12 °C/W)
100% Rg testování
Nízký profil (<09 mm)
Kolíkové rozhraní podle průmyslového standardu
Kompatibilní se stávajícími technikami povrchové montáže
V souladu s RoHS bez obsahu olova, bromu a halogenů
MSL1, průmyslová kvalifikace
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFHS8242TRPBF Typ N-kanálový 21 A 25 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -21 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFHM830TRPBF Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRFH9310TRPBF Typ P-kanálový -21 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFH5250TRPBF Typ N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 25 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení