řada: HEXFET MOSFET IRFH9310TRPBF Typ P-kanálový -21 A -30 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 257-5834
- Výrobní číslo:
- IRFH9310TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 257-5834
- Výrobní číslo:
- IRFH9310TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -30V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.7mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.1W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.39mm | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -30V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.7mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.1W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.39mm | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon strongIRFET je optimalizována pro nízký RDS a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Průmyslové standardní napájecí pouzdro pro povrchovou montáž
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání níže <100 kHz
Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí křemíkovou generací
K dispozici široké portfolio
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -21 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 25 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFHS8242TRPBF Typ N-kanálový 21 A 25 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFHM830TRPBF Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 6 A 30 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 7.2 A 20 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení