řada: HEXFET MOSFET + Dioda N-kanálový 25 A 30 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (4000 jednotky/-ek, v kotouči po 4000 ks)*

42 564,00 Kč

(bez DPH)

51 504,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 8 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
4000 +10,641 Kč42 564,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
220-7485
Výrobní číslo:
IRFH7932TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET + Dioda

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

25A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PQFN

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

3.3mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

34nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální ztrátový výkon Pd

3.4W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Šířka

5.1mm

Výška

1mm

Délka

6.1mm

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptMOS N-channel jsou vyvinuty pro zvýšení efektivity, hustoty výkonu a efektivity nákladů. Produkty OptimOS jsou navrženy pro vysoce výkonné aplikace a optimalizovány pro vysokou spínací frekvenci a přesvědčí se o tom nejlepším přínosu tohoto odvětví. Portfolio výkonových MOSFET OptMOS, nyní doplněné silným IRFET, vytváří skutečně výkonnou kombinaci. Využijte perfektní shodu robustních a vynikajících cen/výkonu silných tranzistorů MOSFET IRFET a nejlepší technologie tranzistorů MOSFET OptiMOS ve své třídě. Obě produktové řady odpovídají nejvyšším standardům kvality a požadavkům na výkon. Společné portfolio, které pokrývá napětí od 12V až po 300V MOSFET, může řešit širokou škálu potřeb od nízkých až po vysoké spínací frekvence, jako jsou SMPS, aplikace napájené bateriemi, řízení motorů a pohonů, měniče a výpočetní technika.

Velmi nízká RDS (ON) při 4.5V VGS

Nízký náboj hradla

Plně charakterizován Avalanche napětí a.

Proud

100 % testováno pro RG

Bez olova (s výtokem do 260 °C)

Vyhovuje směrnici RoHS (bez halogenů)

Nízká tepelná odolnost

Velký zdroj pro spolehlivější pájení

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.