řada: SI5936DU MOSFET SI5936DU-T1-GE3 Typ N-kanálový 6 A 30 V Vishay, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 256-7376
Výrobní číslo:: SI5936DU-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SI5936DU MOSFET SI5936DU-T1-GE3 Typ N-kanálový 6 A 30 V Vishay, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

22 941,00 Kč

(bez DPH)

27 759,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 01. prosince 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	7,647 Kč	22 941,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 256-7376
Výrobní číslo:: SI5936DU-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	SI5936DU
	Typ balení	PowerPAK ChipFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.04Ω
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	3.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	10.4W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Výška	0.85mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada SI5936DU
	Typ balení PowerPAK ChipFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.04Ω
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 10.4W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Výška 0.85mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SI5936DU-T1-GE3

MOSFET řady Vishay SI5936DU, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A – SI5936DU-T1-GE3

Tento MOSFET je tranzistor N-kanálu pro povrchovou montáž navržený pro spínání a řízení napájení v elektronických systémech. Funguje jako nízkoodporový spínač vhodný pro sestavy kompaktních desek a nabízí rovnováhu mezi manipulací s proudem a jmenovitým napětím pro řadu průmyslových úkolů řízení a konverze výkonu.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota 30 V umožňuje přepínání středního napětí pro řídicí obvody • Nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A podporuje mírné zátěžové proudy • Rds(on) 0,04 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu • typické nabíjení hradla 3,5 nC pro rychlé spínání s nízkou spotřebou energie • Rozptýlení výkonu 10,4 W umožňuje trvalé tepelné zatížení • Maximální provozní teplota +150 °C toleruje prostředí s vysokými teplotami

Aplikace

• Vhodné pro přepínání hradlové fáze motorového pohonu v automatizačních systémech • Ideální pro měniče DC/DC v průmyslových napájecích zdrojích • Používá se pro přepínání zátěže v integrovaných řídicích modulech • Lze použít pro řízení napájení v zkušebních a měřicích zařízeních

Jaký formát montáže vyžaduje na desce plošných spojů?

Používá pouzdro pro povrchovou montáž s 8 kolíky, které je vhodné pro automatizovanou montáž a kompaktní uspořádání.

Jak hodnota nabíjení hradla ovlivňuje požadavky na pohon?

Typické náboje hradla 3,5 nC znamená nižší energii pohonu hradla a rychlejší přechody ve srovnání se zařízeními s vyšší hodnotou Qg, což snižuje velikost budiče hradla a ztráty při spínání.

Jaký rozsah okolních teplot dokáže odolat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C, což umožňuje použití v široké škále tepelných podmínek bez zhoršení v tomto rozsahu.

Jaké maximální napětí brány ke zdroji lze použít?

Zařízení přijímá až 20 V mezi hradlem a zdrojem, což definuje přípustnou amplitudu pohonu pro bezpečný provoz.

Jaký typ mechanického pouzdra je k dispozici pro rozptyl tepla?

Dodává se v pouzdru PowerPAK ChipFET, který pomáhá přenášet teplo pro vyšší úrovně rozptylu.