MOSFET SI5513CDC-T1-GE3 Typ P, Typ N-kanálový 4 A 20 V Vishay, ChipFET, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 256-7373
- Výrobní číslo:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
305,80 Kč
(bez DPH)
370,025 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 12,232 Kč | 305,80 Kč |
| 50 - 75 | 11,994 Kč | 299,85 Kč |
| 100 - 225 | 9,139 Kč | 228,48 Kč |
| 250 - 975 | 8,951 Kč | 223,78 Kč |
| 1000 + | 5,562 Kč | 139,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 256-7373
- Výrobní číslo:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | ChipFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení ChipFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Pole mosfet společnosti Vishay Semiconductor s N- a P-kanálem 20 V, 4 A, 3,7 A, 3,1 W chipFET 1206-8 pro povrchovou montáž bez obsahu halogenů podle definice IEC 61249-2-21.
Výkonové mosfety TrenchFET
Testováno na 100 % Rg
V souladu se směrnicí RoHS 2002/95/ES
Související odkazy
- MOSFET Typ P ChipFET, počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET SI5517DU-T1-GE3 Typ N Typ P PowerPAK ChipFET Vishay
- MOSFET SI5504BDC-T1-GE3 Typ N 1206-8 ChipFET
- řada: Si5419DU MOSFET SI5419DU-T1-GE3 Typ P-kanálový 9.9 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI5935CDC-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.8 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- MOSFET SI5468DC-T1-GE3 Typ N-kanálový 6 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET SI5442DU-T1-GE3 Typ N-kanálový 25 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET SI5448DU-T1-GE3 Typ N-kanálový 25 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový