řada: SI5442DU MOSFET SI5442DU-T1-GE3 N-kanálový 25 A 20 V Vishay, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 256-7365
Výrobní číslo:: SI5442DU-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SI5442DU MOSFET SI5442DU-T1-GE3 N-kanálový 25 A 20 V Vishay, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

233,55 Kč

(bez DPH)

282,60 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 675 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
25 +	9,342 Kč	233,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 256-7365
Výrobní číslo:: SI5442DU-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	25A
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Řada	SI5442DU
	Typ balení	PowerPAK ChipFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.0135Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	8V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	16.6nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	31W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Výška	850μm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Řada SI5442DU
	Typ balení PowerPAK ChipFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.0135Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.6nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 31W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Výška 850μm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

MOSFET řady Vishay SI5442DU, maximální zdrojové napětí vypouštění 20 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A – SI5442DU-T1-GE3

Tento MOSFET je N-kanálový spínací tranzistor navržený pro vysokoproudé řízení výkonu v kompaktních sestavách pro povrchovou montáž. Funguje jako nízkonapěťové napájecí zařízení vhodné pro měniče DC-DC a synchronní spínací topologie a pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí pro náročné tepelné prostředí.

Charakteristiky a výhody:

• Velmi nízký odpor při zapnutí 0.0135 Ω, což umožňuje snížení ztrát při vedení
• Kapacita nepřetržitého vypouštění 25 A pro vysokoproudé lišty
• Odolnost proti drenážnímu zdroji 20 V umožňuje nízkonapěťové napájecí stupně
• Tolerance hradla až 8 V umožňuje flexibilní schémata pohonu
• Typický celkový náboj hradla 16,6 nC pro efektivní ovládání spínání
• Rozptýlení výkonu 31 W umožňující trvalé tepelné zatížení

Aplikace

• Vhodné pro výstupy synchronních snižovacích měničů
• Ideální pro moduly pro rozvod napájení pro automobilový průmysl
• Používá se pro spínání vysokoproudých zátěží v průmyslových zařízeních
• Lze použít pro telekomunikační napájecí stupně
• Vhodné pro regulaci bodu zatížení na kompaktních deskách

Jaký tepelný rozsah může zařízení tolerovat při nasazení?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C a vyhovuje podmínkám provozu při studeném startu i při vysokých teplotách.

Jak přímé napětí ovlivňuje účinnost v nízkonapěťových systémech?

Typické přímé napětí 1,2 V přes vnitřní diodu snižuje ztráty při mrtvém čase a přispívá k celkové účinnosti měniče při synchronním provozu.

Jaké pouzdro a typ montáže jsou k dispozici pro montáž desky?

Součást je dodávána v 8kolíkovém formátu PowerPAK ChipFET určeném pro povrchovou montáž, která umožňuje kompaktní uspořádání a efektivní tepelné cesty.

Je produkt v souladu se směrnicemi o omezení materiálů?

Součást splňuje požadavky RoHS, což omezuje některé nebezpečné látky ve složení zařízení.