řada: SI3483DDV MOSFET SI3483DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový -6.4 A -30 V Vishay, TSOP-6, počet kolíků: 6 kolíkový

Skladové číslo RS:: 256-7359
Výrobní číslo:: SI3483DDV-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SI3483DDV MOSFET SI3483DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový -6.4 A -30 V Vishay, TSOP-6, počet kolíků: 6 kolíkový

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

225,25 Kč

(bez DPH)

272,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 2 975 jednotka(y) budou odesílané od 10. srpna 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
25 +	9,01 Kč	225,25 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 256-7359
Výrobní číslo:: SI3483DDV-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	-6.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	-30V
	Řada	SI3483DDV
	Typ balení	TSOP-6
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	0.0513Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	16V
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	4.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	3W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Výška	1.1mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -6.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds -30V
	Řada SI3483DDV
	Typ balení TSOP-6
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 0.0513Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 3W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Výška 1.1mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

MOSFET řady Vishay SI3483DDV, maximální napětí zdroje vypouštění -30 V, maximální odpor zdroje vypouštění 0,0513 Ω – SI3483DDV-T1-GE3

Tento p-kanálový MOSFET je polovodičové zařízení pro povrchovou montáž navržené pro ovládání spínacích a analogových napájecích funkcí v kompaktních elektronických systémech. Pracuje s jmenovitým napětím 30 V odvod k zdroji a je určen pro použití v širokém rozsahu okolních teplot, díky čemuž je vhodný pro náročné průmyslové a automatizační prostředí, kde je vyžadováno kompaktní spínání napájení.

Charakteristiky a výhody:

• Nízké hodnoty Rds(on) 0,0513 Ω umožňující snížení ztrát při vedení • Nepřetržitý vypouštěcí proud 6,4 A podporující mírné napájecí zátěže • Typické nabití hradla 4,5 nC umožňující rychlejší přepínání hradla • Maximální ztrátový výkon 3 W umožňující trvalé tepelné zatížení • Odolnost proti napětí zdroje hradla 16 V pro tolerantní marže pohonu hradla • Provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C pro použití při vysokých teplotách

Aplikace

• Vhodné pro spínání zátěže na vysoké straně v automatizačních zařízeních • Ideální pro obvody pro správu baterií v přenosných systémech • Používá se pro analogové řízení výkonu v průmyslové elektronice • Lze použít pro tepelně citlivé vyžadují kompaktní díly SMD • Používá se s ovladači řízení motoru vyžadujícími topologii P-kanálu

Jaký typ pouzdra se používá pro kompaktní uspořádání desek plošných spojů?

Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž TSOP-6 se šesti kolíky pro úzké prostory desky.

Jak se zařízení chová při vysokých teplotách spoje?

Je určen pro provoz při teplotě až +150 °C, což umožňuje nepřetržité vedení a spínání při zvýšených teplotách v rámci specifikovaných limitů.

Jaká je typická charakteristika spínací zátěže, kterou je třeba vzít v úvahu při návrhu pohonu?

Typické náboje hradla je 4,5 nC, což informuje o výpočtech energie pohonu hradla a spínacích ztrát.

Která environmentální schválení nebo materiálové normy se vztahují?

Součást splňuje omezení materiálů RoHS pro soulad s omezenými látkami.