řada: SI3483DDV MOSFET SI3483DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový -6.4 A -30 V Vishay, TSOP-6, počet kolíků: 6 kolíkový

Skladové číslo RS:: 256-7359
Výrobní číslo:: SI3483DDV-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SI3483DDV MOSFET SI3483DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový -6.4 A -30 V Vishay, TSOP-6, počet kolíků: 6 kolíkový

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

353,95 Kč

(bez DPH)

428,28 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 2 950 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
25 +	14,158 Kč	353,95 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 256-7359
Výrobní číslo:: SI3483DDV-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	-6.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	-30V
	Typ balení	TSOP-6
	Řada	SI3483DDV
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	0.0513Ω
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	3W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	4.5nC
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	16V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Výška	1.1mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -6.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds -30V
	Typ balení TSOP-6
	Řada SI3483DDV
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 0.0513Ω
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 3W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.5nC
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Výška 1.1mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

MOSFET řady Vishay SI3483DDV, maximální ztrátový výkon 3 W, maximální zdrojové napětí -30 V – SI3483DDV-T1-GE3

Tento p-kanálový MOSFET je spínací tranzistor pro povrchovou montáž určený pro elektronické řízení výkonu v kompaktních sestavách. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je vhodný pro nízkonapěťové aplikace vyžadující mírnou manipulaci s proudem a efektivní vodivost. Zařízení se dodává v pouzdru TSOP-6 a je specifikováno pro standardní výrobní prostředí RoHS.

Charakteristiky a výhody:

• Nízké hodnoty Rds(on) 0.0513 Ω umožňují snížení ztrát při vedení
• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud -6,4 A podporuje mírné zátěžové proudy
• Jmenovité napětí zdroje -30 V umožňuje spínání při nízkém napětí
• Prahová hodnota brány umožňující napětí Vgs až 16 V zajišťuje flexibilní rozsah pohonu
• Typické náboje hradla 4,5 nC zajišťuje rychlejší spínání pro vyšší účinnost
• Rozptýlení výkonu 3 W omezuje tepelnou zátěž pro kompaktní konstrukce

Aplikace

• Používá se pro ochranu proti obrácené polaritě baterie v přenosné elektronice
• Vhodné pro spínání zátěže v lištách pro rozvod napájení
• Ideální pro spínání na vysoké straně v systémech řízení akumulátoru
• Lze použít pro obvody pro výběr napájecí cesty USB
• Používá se s bránami motorového ovladače v nízkonapěťových systémech

Jaké tepelné extrémy může zařízení tolerovat při provozu?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C, což umožňuje použití v náročných podmínkách okolí a při vysokých teplotách desky.

Kolik kolíků a jaký styl montáže používá?

Pouzdro má šest kolíků a je určeno pro povrchovou montáž na obsazené desky.

Jaký typ kanálu a polaritu vedení je třeba očekávat?

Tranzistor je zařízení s P-kanálem, takže role zdroje a vypouštění jsou v souladu s konfiguracemi spínání typu P.

Splňuje požadavky automobilových norem?

Není určen jako součást automobilového standardu a nelze předpokládat, že splňuje specifická kvalifikační kritéria pro automobilový průmysl.