řada: SI3437DV MOSFET SI3437DV-T1-GE3 Typ P-kanálový -1.4 A -150 V Vishay, TSOP-6, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 256-7351
- Výrobní číslo:
- SI3437DV-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
146,22 Kč
(bez DPH)
176,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 850 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 29,244 Kč | 146,22 Kč |
| 50 - 95 | 26,182 Kč | 130,91 Kč |
| 100 - 245 | 20,946 Kč | 104,73 Kč |
| 250 - 995 | 20,402 Kč | 102,01 Kč |
| 1000 + | 17,686 Kč | 88,43 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 256-7351
- Výrobní číslo:
- SI3437DV-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -1.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -150V | |
| Typ balení | TSOP-6 | |
| Řada | SI3437DV | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.79Ω | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.2W | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 1.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -1.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -150V | ||
Typ balení TSOP-6 | ||
Řada SI3437DV | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.79Ω | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.2W | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 1.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET řady Vishay SI3437DV, maximální ztrátový výkon 3,2 W, maximální zdrojové napětí 150 V – SI3437DV-T1-GE3
Tento p-kanálový MOSFET je tranzistor pro povrchovou montáž určený pro vysokonapěťové spínání a řízení v kompaktních elektronických sestavách. Pracuje v širokém tepelném rozsahu, díky čemuž je vhodný pro prostředí s velkými teplotními kolísání, a je určen pro konstrukce obvodů, které vyžadují řízený náboj hradla a mírný nepřetržitý proud v nízkoprofilovém pouzdru.
Charakteristiky a výhody:
• Kapacita vypouštění 150 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Odpor při zapnutí 0,79 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• nepřetržitý vypouštěcí proud 1.4 A podporuje skromné zatěžovací proudy
• Typický náboj hradla 8 nC umožňuje předvídatelné spínací chování
• Rozptýlení výkonu 3.2 W umožňuje zvládnout mírné tepelné zatížení
• Shoda se směrnicí RoHS splňuje omezení v oblasti životního prostředí
• Odpor při zapnutí 0,79 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• nepřetržitý vypouštěcí proud 1.4 A podporuje skromné zatěžovací proudy
• Typický náboj hradla 8 nC umožňuje předvídatelné spínací chování
• Rozptýlení výkonu 3.2 W umožňuje zvládnout mírné tepelné zatížení
• Shoda se směrnicí RoHS splňuje omezení v oblasti životního prostředí
Aplikace
• Vhodné pro spínání vysokonapěťových zátěží v napájecích zdrojích
• Ideální pro ochranu baterií a obvody s obrácenou polaritou
• Používá se s kompaktními měniči vyžadujícími součásti pro povrchovou montáž
• Lze použít pro přepínání úrovně signálu v průmyslových ovládacích prvcích
• Vhodné pro spotřební elektroniku s požadavky na tepelnou variabilitu
• Ideální pro ochranu baterií a obvody s obrácenou polaritou
• Používá se s kompaktními měniči vyžadujícími součásti pro povrchovou montáž
• Lze použít pro přepínání úrovně signálu v průmyslových ovládacích prvcích
• Vhodné pro spotřební elektroniku s požadavky na tepelnou variabilitu
Jaké montážní úvahy existují pro kompaktní desky?
Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž TSOP-6, takže uspořádání podložky by se mělo řídit doporučeními TSOP-6 a umožňovat dostatečnou měď pro šíření tepla.
Jak ovlivňuje pohon hradla výkon spínání?
Velikost pohonu hradla a rychlost vychýlení ovlivní ztráty při spínání, protože zařízení vykazuje typický náboj hradla 8 nC
výběr ovladače by měl odpovídat požadovaným časům náběhu/klesání.
Jaký tepelný rozsah může tolerovat během provozu?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C, což umožňuje použití v aplikacích s podstatnými změnami okolní a spojovací teploty.
Existují omezení pro integraci do automobilového průmyslu?
Díl není určen podle automobilových norem, takže by se neměl volit tam, kde jsou vyžadovány certifikované součásti pro automobilový průmysl.
Související odkazy
- řada: SI3437DV MOSFET SI3437DV-T1-GE3 Typ P-kanálový -1.4 A -150 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3443DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 4 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3438DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.4 A 40 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3460DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: SI3483DDV MOSFET SI3483DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový -6.4 A -30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: Si3433CDV MOSFET SI3433CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI3477DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI3993CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay