MOSFET SI3460DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.9 A 20 V Vishay, TSOP-6, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 256-7357
- Výrobní číslo:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
227,25 Kč
(bez DPH)
275,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 525 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 9,09 Kč | 227,25 Kč |
| 50 - 75 | 8,912 Kč | 222,80 Kč |
| 100 - 225 | 6,926 Kč | 173,15 Kč |
| 250 - 975 | 6,798 Kč | 169,95 Kč |
| 1000 + | 4,466 Kč | 111,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 256-7357
- Výrobní číslo:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | TSOP-6 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení TSOP-6 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový modul Vishay Semiconductor 20 V 7,9 A (Tc) 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc) pro povrchovou montáž 6-TSOP bez obsahu halogenů podle definice IEC 61249-2-21.
TrenchFET Power Mosfet
Testováno na 100 % Rg
100% testování UIS
V souladu se směrnicí RoHS 2002/95/ES
Související odkazy
- MOSFET Typ P-kanálový 7.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3443DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 4 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3437DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 1.4 A 150 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3438DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.4 A 40 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3483DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 6.4 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: Si3433CDV MOSFET SI3433CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI3457CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.1 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: TrenchFET MOSFET SI3421DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení