MOSFET SI2393DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6.1 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 256-7348
- Výrobní číslo:
- SI2393DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 256-7348
- Výrobní číslo:
- SI2393DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.12mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.12mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET P-kanálový 30 V (D-S) 30 V 6,1 A (Ta), 7,5 A (Tc) 1,3 W (Ta), 2,5 W (Tc) společnosti Vishay Semiconductor má povrchovou montáž s pouzdrem typu SOT-23-3 (TO-236).
TrenchFET gen IV p-kanálový výkonový mosfet
100% testování Rg a UIS
aplikace
Spínač zátěže
Ochrana obvodu
Řízení pohonu motoru
Související odkazy
- MOSFET SI2393DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6.1 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: Si2329DS MOSFET SI2329DS-T1-GE3 Typ P-kanálový -6 A -8 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SI2347DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2365EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2337DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.2 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2377EDS MOSFET SI2377EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2367DS Výkonový MOSFET SI2367DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.8 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SI2399DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení