řada: Si2329DS MOSFET SI2329DS-T1-GE3 Typ P-kanálový -6 A -8 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 256-7346
Výrobní číslo:: SI2329DS-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: Si2329DS MOSFET SI2329DS-T1-GE3 Typ P-kanálový -6 A -8 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*

15 027,00 Kč

(bez DPH)

18 183,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 29. června 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	5,009 Kč	15 027,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 256-7346
Výrobní číslo:: SI2329DS-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	-6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	-8V
	Typ balení	SOT-23
	Řada	Si2329DS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	0.12Ω
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.5W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	19.3nC
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	5V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	3.04mm
	Výška	1.12mm
	Šířka	1.4mm
	Normy/schválení	IEC 61249-2-21, RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -6A
	Maximální napětí na zdroji Vds -8V
	Typ balení SOT-23
	Řada Si2329DS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 0.12Ω
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 19.3nC
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 5V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 3.04mm
	Výška 1.12mm
	Šířka 1.4mm
	Normy/schválení IEC 61249-2-21, RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SI2329DS-T1-GE3

MOSFET řady Vishay Si2329DS, maximální ztrátový výkon 2,5 W, maximální odpor zdroje vypouštění 0,12 Ω – SI2329DS-T1-GE3

Tento p-kanálový MOSFET je kompaktní tranzistor pro povrchovou montáž navržený pro spínání a řízení napájení v elektronických sestavách. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je vhodný pro aplikace vyžadující nízký odpor při zapnutí, střední manipulaci s proudem a standardní úrovně pohonu hradla v malých pouzdrech SOT-23.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký odpor při zapnutí Rds(on) 0.12 Ω umožňuje snížení ztrát při vedení
• Jmenovitý nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A podporuje vyšší zátěžové proudy
• Maximální ztrátový výkon 2.5 W umožňuje trvalé spínání
• Nabíjení hradla Qg 19.3 nC usnadňuje relativně rychlé spínání
• Jmenovité napětí zdroje hradla 5 V umožňuje standardní pohony hradla na logické úrovni
• Provozní rozsah -55 °C až 150 °C zajišťuje širokou teplotní toleranci

Aplikace

• Vhodné pro ochranné obvody baterií v přenosných zařízeních
• Ideální pro řízení napájení v kompaktní spotřební elektronice
• Používá se pro přepínání zátěže v sousedních necertifikovaných systémech v automobilovém průmyslu
• Lze použít pro spínání na vysoké straně ve stejnosměrných napájecích lištách
• Vhodné pro konstrukce pro povrchovou montáž vyžadující půdorys SOT-23

Jaká metoda montáže je vyžadována pro montáž?

Jedná se o zařízení pro povrchovou montáž v pouzdru SOT-23, určené pro pájení přetavením na PCB.

Jakou polaritu a napětí zvládá zařízení na odvodňovacím zdroji?

Zařízení je typu P-kanálu specifikovaného pro maximální napětí odtoku-zdroje -8 V při použití v rámci jmenovitých hodnot.

Jak tepelná výkonnost ovlivňuje uspořádání?

S maximálním rozptylem 2,5 W by měla být zajištěna měděná plocha PCB a tepelné vedení pro rozptýlení tepla a udržení teploty spoje při vysoké zátěži.

Existují omezení amplitudy pohonu hradla?

Maximální diferenciální napětí hradla-zdroje je 5 V, takže ovladače hradla nesmí překročit toto napětí, aby se zabránilo poškození.