řada: Si2367DS Výkonový MOSFET SI2367DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.8 A 20 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 812-3136
- Výrobní číslo:
- SI2367DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 páska po 50 kusech)*
438,45 Kč
(bez DPH)
530,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 350 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 50 + | 8,769 Kč | 438,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 812-3136
- Výrobní číslo:
- SI2367DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | Si2367DS | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.066Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -8V, +8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.7W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Výška | 1.02mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Normy/schválení | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada Si2367DS | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.066Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -8V, +8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.7W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.4mm | ||
Výška 1.02mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Normy/schválení RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si2367DS Výkonový MOSFET SI2367DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.8 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET SI2393DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6.1 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: Si2329DS MOSFET SI2329DS-T1-GE3 Typ P-kanálový -6 A -8 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SI2347DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2365EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2337DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.2 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2377EDS MOSFET SI2377EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2399DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení