AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK185N60E-T1-GE3 N-kanálový 19 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 252-0268
- Výrobní číslo:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
234,65 Kč
(bez DPH)
283,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 050 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 117,325 Kč | 234,65 Kč |
| 20 - 48 | 110,285 Kč | 220,57 Kč |
| 50 - 98 | 99,54 Kč | 199,08 Kč |
| 100 - 198 | 93,985 Kč | 187,97 Kč |
| 200 + | 88,055 Kč | 176,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 252-0268
- Výrobní číslo:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 19A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.16Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 114W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Délka | 6.15mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Řada E | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.16Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 114W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Délka 6.15mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 5.15mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí drain-zdroj 650 V, nepřetržitý drainový proud 19 A – SIHK185N60E-T1-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor navržený pro aplikace pro povrchovou montáž v náročných elektronických systémech. Funguje jako vyčerpávací zařízení s N-kanálem a je navržen tak, aby fungoval v širokém rozsahu okolního prostředí, díky čemuž je vhodný pro průmyslové a automobilové kontexty, kde je vyžadováno robustní spínání při zvýšeném napětí.
Charakteristiky a výhody:
• Kapacita vypouštění 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 19 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 0.16 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 114 W umožňuje manipulaci s vysokým výkonem v kompaktních uspořádáních
• Typický náboj hradla 33 nC umožňuje předvídatelné rozpočet spínací energie
• Tolerance hradla ±20 V zachovává integritu hradla při řídicích přechodových jevech
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 19 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 0.16 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 114 W umožňuje manipulaci s vysokým výkonem v kompaktních uspořádáních
• Typický náboj hradla 33 nC umožňuje předvídatelné rozpočet spínací energie
• Tolerance hradla ±20 V zachovává integritu hradla při řídicích přechodových jevech
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové stupně převodu napájení
• Ideální pro elektronické řídicí moduly v automobilovém průmyslu vyžadující součásti pro automobilový průmysl
• Používá se pro přední spínání motorových pohonů v průmyslových zařízeních
• Lze použít pro spínané napájecí zdroje v offline měničích
• Užitečné v obvodech řízení napájení s náročnými řešeními pro povrchovou montáž
• Ideální pro elektronické řídicí moduly v automobilovém průmyslu vyžadující součásti pro automobilový průmysl
• Používá se pro přední spínání motorových pohonů v průmyslových zařízeních
• Lze použít pro spínané napájecí zdroje v offline měničích
• Užitečné v obvodech řízení napájení s náročnými řešeními pro povrchovou montáž
Jaké tepelné extrémy může během nasazení odolat?
Je specifikován pro provoz při teplotách do -55 °C a až +150 °C a vyhovuje náročným výkyvům okolní a spojovací teploty.
Jak je baleno pro montáž na desku plošných spojů?
Dodává se v pouzdru PowerPAK 10x12 pro povrchovou montáž s osmi kolíky, které usnadňují montáž na PCB s nízkou indukčností.
Splňuje kritéria kvalifikace pro automobilový průmysl?
Zařízení splňuje normu AEC-Q101 pro automobilový průmysl, což naznačuje vhodnost pro elektronické systémy vozidel.
Jaký kanál a režim vedení používá?
Tranzistor používá kanál typu N a pracuje v režimu vyčerpání pro své spínací chování.
Související odkazy
- AEC-Q101 PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
- řada: E Výkonový MOSFET SiHH080N60E-T1-GE3 N-kanálový 32 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHK075N65E-T1-GE3 N-kanálový 29 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: E Series MOSFET SIHH075N65E-T1-GE3 N-kanálový 29 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový