AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK055N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 42 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8

Skladové číslo RS:: 239-8635
Výrobní číslo:: SIHK055N60E-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK055N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 42 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

170 252,00 Kč

(bez DPH)

206 004,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 10. srpna 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	85,126 Kč	170 252,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 239-8635
Výrobní číslo:: SIHK055N60E-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	42A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	PowerPAK 10 x 12
	Řada	E
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.056Ω
	Režim kanálu	Vyčerpání
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	236W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	54nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení PowerPAK 10 x 12
	Řada E
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.056Ω
	Režim kanálu Vyčerpání
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 236W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 54nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60E-T1-GE3

Výkonový MOSFET Vishay řady E, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 42 A – SIHK055N60E-T1-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání a správu napájení v náročných průmyslových a automobilových kontextech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro sestavy pro povrchovou montáž, kde je vyžadována robustní vysokonapěťová manipulace a kompaktní balení.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace • Nepřetržitý vypouštěcí proud 42 A podporuje provoz při vysoké zátěži • Nízká hodnota Rds(on) 0,056 Ω snižuje ztráty při vedení • Typické nabíjení hradla 54 nC vyváží rychlost přepínání a sílu pohonu • Rozptýlení výkonu 236 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem • Jmenovité hodnoty do +150 °C pro prostředí s vysokou teplotou

Aplikace

• Vhodné pro stupně převodu výkonu v průmyslové automatizaci • Ideální pro spínací obvody invertorů motorového pohonu • Používá se pro vysokonapěťové měniče DC/DC v elektrických systémech • Lze použít pro moduly řízení napájení v automobilovém průmyslu, které vyžadují kvalifikaci AEC-Q101

Jaký typ montáže je vyžadován pro montáž desky?

Dodává se v povrchovém pouzdru PowerPAK 10 x 12 s osmi kolíky navrženými pro procesy pájení pro povrchovou montáž a tepelnou vodivost k PCB.

Jak požadavky na pohon hradla ovlivňují výběr regulátoru?

Zařízení podporuje napětí zdroje hradla až 30 V a má typický náboj hradla 54 nC, takže ovladače musí poskytovat dostatečný náboj pro požadované přepínací přechody při zachování limitu VGS.

Jaké extrémní podmínky prostředí dokáže během provozu odolat?

Součást je specifikována pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C, což umožňuje použití v širokém rozsahu okolních a spojovacích teplot v náročných podmínkách.

Existují průmyslové schválení relevantní pro automobilové použití?

Splňuje normy AEC-Q101 pro polovodiče automobilové kvality a je v souladu s RoHS pro omezení materiálů.