AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK055N60E-T1-GE3 N-kanálový 42 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8

Skladové číslo RS:: 239-8635
Výrobní číslo:: SIHK055N60E-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK055N60E-T1-GE3 N-kanálový 42 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8

Mezisoučet (2000 jednotky/-ek, v kotouči po 2000 ks)*

170 252,00 Kč

(bez DPH)

206 004,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 2 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	85,126 Kč	170 252,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 239-8635
Výrobní číslo:: SIHK055N60E-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	42A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	PowerPAK 10 x 12
	Řada	E
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.056Ω
	Režim kanálu	Vyčerpání
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	54nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Maximální ztrátový výkon Pd	236W
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení PowerPAK 10 x 12
	Řada E
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.056Ω
	Režim kanálu Vyčerpání
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 54nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Maximální ztrátový výkon Pd 236W
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60E-T1-GE3

Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 42 A – SIHK055N60E-T1-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor navržený pro náročné prostředí pro převod výkonu a řízení automobilů. Pracuje v rozšířeném okolním rozsahu a je nabízen v kompaktním pouzdru pro povrchovou montáž vhodném pro sestavy s vysokou hustotou, což zajišťuje rovnováhu mezi manipulací s výkonem a tepelnou kapacitou pro průmyslové a automobilové elektronické systémy.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Stálý proud 42 A podporuje provoz při vysoké zátěži
• Rds(on) 0.056 Ω snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 236 W umožňuje trvalý výkon
• typické náboje hradla 54 nC minimalizuje spínací energii
• Tolerance hradla 30 V zajišťuje robustní provozní rozpětí

Aplikace

• Vhodné pro napájecí spínače s trakčním měničovým stupněm
• Ideální pro vysokonapěťové výstupy měničů DC/DC
• Používá se s regulátory motorových pohonů v automobilových systémech
• Lze použít pro spínání průmyslových napájecích zdrojů
• Vhodné pro montáž na povrch s vysokým výkonem

Jaký tepelný rozsah lze při nasazování tohoto zařízení očekávat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C, což umožňuje provoz v extrémních podmínkách okolí a pod kapotou.

Jak balení ovlivňuje montáž a chlazení?

Formát PowerPAK 10x12 pro povrchovou montáž zajišťuje nízkoprofilový půdorys, který usnadňuje tepelnou vodivost PCB a uspořádání hustých desek.

Je toto zařízení vhodné pro automobilové projekty s potřebou kvalifikace?

Splňuje požadavky AEC-Q101, díky čemuž je použitelný pro mnoho konstrukcí elektroniky vozidel, které vyžadují součásti automobilové kvality.

Jaká omezení pohonu hradla by měla být dodržována?

Maximální napětí mezi bránou a zdrojem je 30 V, takže obvody pohonu brány musí omezit výkyvy v tomto rozsahu, aby se zabránilo namáhání.