řada: SiH MOSFET SIHK055N60E-T1-GE3 N-kanálový 42 A 600 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 735-155
- Výrobní číslo:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
216,13 Kč
(bez DPH)
261,52 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 999 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 216,13 Kč |
| 10 - 49 | 133,87 Kč |
| 50 - 99 | 103,49 Kč |
| 100 + | 76,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 735-155
- Výrobní číslo:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Řada | SiH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.049Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 236W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 54nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 600V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 13mm | |
| Šířka | 10mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Řada SiH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.049Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 236W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 54nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 600V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 13mm | ||
Šířka 10mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- IL
N-kanálový MOSFET Vishay s jmenovitým napětím zdroje 60 V, optimalizovaný pro vysoce účinné spínání v převodnících DC/DC AI Power Server a synchronních usměrňovacích obvodech. Dosahuje velmi nízkého odporu při zapnutí maximálně 1,7 mΩ při pohonu hradla 10 V pro minimální ztráty vedení v aplikacích s vysokým proudem
Nepřetržitý vypouštěcí proud 94 A při TA = 25 °C
Typický celkový náboj hradla 54,3 nC pro rychlé přepínání
Rozšířený rozsah teplot spojení -55 °C až +175 °C
Související odkazy
- AEC-Q101 PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
- řada: SiH MOSFET SIHH068N60E-T1-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHA MOSFET SIHA150N60E-GE3 N-kanálový 9 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI7120BDN-T1-GE3 N-kanálový 14 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIA4620DJ-T1-GE3 N-kanálový 9 A 60 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHH26N60E-T1-GE3 N-kanálový 25 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SISS5708DN-T1-GE3 N-kanálový 33.8 A 150 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení