řada: SIHA MOSFET SIHA150N60E-GE3 N-kanálový 9 A 650 V Vishay, Powerpak SO-8DC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8288
- Výrobní číslo:
- SIHA150N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
214,40 Kč
(bez DPH)
259,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 998 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 107,20 Kč | 214,40 Kč |
| 10 - 18 | 96,825 Kč | 193,65 Kč |
| 20 - 98 | 94,85 Kč | 189,70 Kč |
| 100 - 498 | 79,285 Kč | 158,57 Kč |
| 500 + | 67,31 Kč | 134,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 268-8288
- Výrobní číslo:
- SIHA150N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SIHA | |
| Typ balení | Powerpak SO-8DC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.158Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 179W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SIHA | ||
Typ balení Powerpak SO-8DC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.158Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 179W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET řady Vishay SIHA, zdrojové napětí vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 9 A – SIHA150N60E-GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro napájecí spínání v aplikacích pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro obvody vyžadující značný prostor pro napětí a mírný stejnosměrný proud. Zařízení je dodáváno v pouzdru PowerPAK SO-8DC vhodném pro kompaktní uspořádání desek.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovité napětí 650 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 9 A podporuje mírné napájení
• Nízká hodnota Rds(on) 0,158 Ω snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 179 W umožňuje manipulaci se zvýšenou zátěží
• Typický náboj hradla 36 nC zajišťuje předvídatelné ovládání spínání
• Tolerance hradla ±30 V umožňuje robustní rozpětí hradlového pohonu
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 9 A podporuje mírné napájení
• Nízká hodnota Rds(on) 0,158 Ω snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 179 W umožňuje manipulaci se zvýšenou zátěží
• Typický náboj hradla 36 nC zajišťuje předvídatelné ovládání spínání
• Tolerance hradla ±30 V umožňuje robustní rozpětí hradlového pohonu
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se pro serverové a telekomunikační moduly pro řízení napájení
• Lze použít pro ovladače LED vyžadující vysokonapěťové spínače
• Vhodné pro napájecí stupně měničů a UPS
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se pro serverové a telekomunikační moduly pro řízení napájení
• Lze použít pro ovladače LED vyžadující vysokonapěťové spínače
• Vhodné pro napájecí stupně měničů a UPS
Jaký typ montáže vyžaduje pro montáž na desku plošných spojů?
Jedná se o zařízení pro povrchovou montáž dodávané v pouzdru PowerPAK SO-8DC, které je navrženo pro pájení přetavením na pozemní vzory PCB kompatibilní s půdorysy SO-8DC.
Jak se chová v prostředí s prodlouženými teplotami?
Tranzistor je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v systémech vystavených nízkým podmínkám okolí a zvýšenému vnitřnímu vytápění.
Jaká omezení pohonu hradla by měla být dodržována?
Napětí mezi bránou a zdrojem nesmí překročit ±30 V, takže ovladače brány by měly být omezeny v těchto mezích, aby se zabránilo namáhání oxidem brány.
Jaká norma omezuje nebezpečné látky v této součásti?
Zařízení splňuje požadavky RoHS, což naznačuje omezení některých nebezpečných materiálů během výroby.
Související odkazy
- řada: SIHA MOSFET SIHA150N60E-GE3 N-kanálový 9 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHH068N60E-T1-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHK045N60E-T1GE3 N-kanálový 48 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 N-kanálový 36 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SiDR220EP-T1-RE3 N-kanálový 415 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SiDR626LEP-T1-RE3 N-kanálový 218 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SIDR104AEP-T1-RE3 N-kanálový 90.5 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- řada: SIDR MOSFET SIDR626EP-T1-RE3 N-kanálový 227 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
